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标题: 电子技术基础4 MOS管 [打印本页]

作者: fdsadfdsid 时间: 2021-8-15 11:29
标题: 电子技术基础4 MOS管
MOS管

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三个工作区及工作条件对比：
截至区：栅源电压反偏，VGS<VT，VT时阈值电压；此时栅源之间没有自由电子形成；
类似于三极管的截至区；只有VGS>VT，类似于三极管VBE 发射极正偏导通，形成大量的自由电子；
可变电阻区：VGS>VT；VGD=VGS-VDS>VT；即删源电压大于VT有发射电子形成，漏源之间电压电压变大，VGD之间的电压压差变小；直到VDS=VT，达到夹断点
类似于三极管的饱和区，发射极正偏，此时集电极还没有完全反偏；

恒流区：VGS>VT；VGD=VGS-VDS<VT，
DS之间沟通截断开，2个N极之间电流不是通过电子直接导通，而是GD形成横向电压电场，加速了GD之间自由电场漂移运动，继续形导通电流；

VGS作用？VT是增强MOS的开启电压
VGS>VT后，形成电场，衬底P型材料的自由自由电子向上飘移填充并且在2个N型区之间形成导电沟道；
VGS继续增大，沟道厚度增大，沟道电阻变小；VGS可控制沟道厚薄；

VDS作用？DS不在短路，DS之间加一个电压源
DS的出现会使GD的压差变小，电控控制变弱，且GD沟道变细；GD等效电阻变大；
DS增大，GS也增大，
初始VDS增大，GD沟道变化不大，IDS线性变大；
当VDS继续变大后，VGS-VDS=VGD与VT相等时，形成夹断点；
当VDS再继续变大后，VGS-VDS=VGD<VT时，形成截止区；此时DS形成横向电压电场，形成自由电子漂移；与三极管发射结功能类似；所有电流不会断开；

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